Hersteller Produktnummer:
HAF1002-90STL-E
Product Overview
Hersteller:
Renesas Electronics Corporation
Teilenummer:
HAF1002-90STL-E-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V 15A 4LDPAK
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 60 V 15A (Ta) 50W (Tc) Surface Mount LDPAK
Inventar:
12861608
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HAF1002-90STL-E Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
15A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
-
Vgs (Max)
+3V, -16V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
50W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
LDPAK
Paket / Koffer
SC-83
Basis-Produktnummer
HAF1002
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
RSJ151P10TL
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
2092
TEILNUMMER
RSJ151P10TL-DG
Einheitspreis
0.52
ERSATZART
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