Hersteller Produktnummer:
GA4F3M(0)-T1-A
Product Overview
Hersteller:
Renesas
Teilenummer:
GA4F3M(0)-T1-A-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount SC-70
Inventar:
63000 Stück Neu Original Auf Lager
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EINREICHEN
GA4F3M(0)-T1-A Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
2 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
2 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
50 @ 50mA, 5V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
200mV @ 250µA, 5mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA
Leistung - Max
150 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-70, SOT-323
Gerätepaket für Lieferanten
SC-70
Basis-Produktnummer
GA4F3M
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,566
Andere Namen
2156-GA4F3M(0)-T1-A
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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