2SK4151TZ-E

Hersteller Produktnummer:

2SK4151TZ-E

Product Overview

Hersteller:

Renesas Electronics Corporation

Teilenummer:

2SK4151TZ-E-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 150V 1A TO92

Detaillierte Beschreibung:

N-Channel 150 V 1A (Ta) 750mW (Ta) Through Hole TO-92

Inventar:

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2SK4151TZ-E Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

Renesas Electronics Corporation

Verpackung

-

Reihe

-

Produktstatus

Obsolete

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

150 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

1A (Ta)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

2.5V, 4V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

1.95Ohm @ 500mA, 4V

vgs(th) (max.) @ id

-

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

3.5 nC @ 4 V

Vgs (Max)

±10V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

98 pF @ 10 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

750mW (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Art der Montage

Through Hole

Gerätepaket für Lieferanten

TO-92

Paket / Koffer

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

2,500

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status

ROHS3 Compliant

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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