Hersteller Produktnummer:
2SK4150TZ-E
Product Overview
Hersteller:
Renesas
Teilenummer:
2SK4150TZ-E-DG
Beschreibung:
2SK4150TZ - N-CHANNEL POWER MOSF
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 250 V 400mA (Ta) 750mW (Ta) Through Hole TO-92
Inventar:
19000 Stück Neu Original Auf Lager
12997799
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2SK4150TZ-E Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
250 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
400mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5.7Ohm @ 200mA, 4V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
3.7 nC @ 4 V
Vgs (Max)
±10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
80 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
750mW (Ta)
Betriebstemperatur
150°C
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
475
Andere Namen
2156-2SK4150TZ-E
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
DN2535N5-G
HERSTELLER
Microchip Technology
VERFÜGBARE ANZAHL
199
TEILNUMMER
DN2535N5-G-DG
Einheitspreis
1.19
ERSATZART
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