Hersteller Produktnummer:
2SK3483-AZ
Product Overview
Hersteller:
Renesas Electronics Corporation
Teilenummer:
2SK3483-AZ-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 28A TO251
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 28A (Ta) 1W (Ta), 40W (Tc) Through Hole TO-251
Inventar:
12858276
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
2SK3483-AZ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
28A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
52mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2300 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1W (Ta), 40W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-251
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFU3410PBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
3321
TEILNUMMER
IRFU3410PBF-DG
Einheitspreis
0.38
ERSATZART
Similar
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
NTTFS4C08NTAG
MOSFET N-CH 30V 9.3A 8WDFN
NDF06N60ZH
MOSFET N-CH 600V 7.1A TO220FP
NTMFS4C705NT1G
MOSFET N-CH 30V SO8FL
