Hersteller Produktnummer:
2SK3482-AZ
Product Overview
Hersteller:
Renesas Electronics Corporation
Teilenummer:
2SK3482-AZ-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 100V 36A TO251
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 36A (Ta) 1W (Ta), 50W (Tc) Through Hole TO-251
Inventar:
12852825
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2SK3482-AZ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
36A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
33mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3600 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1W (Ta), 50W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-251
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis-Produktnummer
2SK3482
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
25
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRFU3410PBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
3321
TEILNUMMER
IRFU3410PBF-DG
Einheitspreis
0.38
ERSATZART
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