2SK2315TYTR-E

Hersteller Produktnummer:

2SK2315TYTR-E

Product Overview

Hersteller:

Renesas Electronics Corporation

Teilenummer:

2SK2315TYTR-E-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 60V 2A UPAK

Detaillierte Beschreibung:

N-Channel 60 V 2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount UPAK

Inventar:

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12858298

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2SK2315TYTR-E Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

Renesas Electronics Corporation

Verpackung

-

Reihe

-

Produktstatus

Obsolete

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

60 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

2A (Ta)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

3V, 4V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

450mOhm @ 1A, 4V

vgs(th) (max.) @ id

-

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

173 pF @ 10 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1W (Ta)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Art der Montage

Surface Mount

Gerätepaket für Lieferanten

UPAK

Paket / Koffer

TO-243AA

Basis-Produktnummer

2SK2315

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

HTML-Datenblatt

2SK2315TYTR-E-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

1,000

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status

ROHS3 Compliant

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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