2SK2221-E
Hersteller Produktnummer:

2SK2221-E

Product Overview

Hersteller:

Renesas Electronics Corporation

Teilenummer:

2SK2221-E-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 200V 8A TO3P
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 8A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-3P

Inventar:

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12858514
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2SK2221-E Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
-
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
-
vgs(th) (max.) @ id
-
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
600 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
100W (Tc)
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-3P
Paket / Koffer
TO-3P-3, SC-65-3
Basis-Produktnummer
2SK2221

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
2SK2220/21

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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