Hersteller Produktnummer:
2SJ358-T1-AZ
Product Overview
Hersteller:
Renesas
Teilenummer:
2SJ358-T1-AZ-DG
Beschreibung:
2SJ358-T1-AZ - P-CHANNEL MOS FET
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 60 V 3A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount MP-2
Inventar:
4550 Stück Neu Original Auf Lager
12987499
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
2SJ358-T1-AZ Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
300mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
23.9 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+10V, -20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
600 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2W (Ta)
Betriebstemperatur
150°C
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
MP-2
Paket / Koffer
TO-243AA
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
358
Andere Namen
2156-2SJ358-T1-AZ
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
TW048N65C,S1F
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 48MOH
NTD5C684NL
MOSFET N-CH 60V 46A DPAK
G20P10KE
P-CH, -100V, 20A, RD(MAX)<116M@-