Hersteller Produktnummer:
2SD2337C-E
Product Overview
Hersteller:
Renesas Electronics Corporation
Teilenummer:
2SD2337C-E-DG
Beschreibung:
POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 150 V 2 A 1.5 W Through Hole TO-220FM
Inventar:
521 Stück Neu Original Auf Lager
12936721
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
2SD2337C-E Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
2 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
150 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
3V @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 500mA, 10V
Leistung - Max
1.5 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Grad
-
Qualifikation
-
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220FM
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
187
Andere Namen
RENRNS2SD2337C-E
2156-2SD2337C-E
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
2SD2213TZ-E
NPN DARLINGTON TRANSISTOR
2SD879
TRANSISTOR
D40V1
TRANS NPN 250V 0.1A TO202AB
