Hersteller Produktnummer:
2SD2161-AZ
Product Overview
Hersteller:
Renesas Electronics Corporation
Teilenummer:
2SD2161-AZ-DG
Beschreibung:
POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 5 A 30MHz 2 W Through Hole MP-45F
Inventar:
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2SD2161-AZ Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
5 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1.5V @ 2mA, 2A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
2000 @ 2A, 2V
Leistung - Max
2 W
Frequenz - Übergang
30MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Gerätepaket für Lieferanten
MP-45F
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
313
Andere Namen
2156-2SD2161-AZ
RENRNS2SD2161-AZ
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI-Zertifizierung
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