Hersteller Produktnummer:
2SD2106-E
Product Overview
Hersteller:
Renesas Electronics Corporation
Teilenummer:
2SD2106-E-DG
Beschreibung:
POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120 V 6 A 2 W Through Hole TO-220FM
Inventar:
1147 Stück Neu Original Auf Lager
12933182
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2SD2106-E Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
6 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
120 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
3V @ 60mA, 6A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
10µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
1000 @ 3A, 3V
Leistung - Max
2 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220FM
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
171
Andere Namen
2156-2SD2106-E
RENRNS2SD2106-E
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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