Hersteller Produktnummer:
2SD1694-AZ
Product Overview
Hersteller:
Renesas Electronics Corporation
Teilenummer:
2SD1694-AZ-DG
Beschreibung:
POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60 V 3 A 250MHz 1.3 W Through Hole TO-126
Inventar:
26947 Stück Neu Original Auf Lager
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2SD1694-AZ Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
3 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
60 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
400mV @ 20mA, 2A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
10µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
800 @ 500mA, 5V
Leistung - Max
1.3 W
Frequenz - Übergang
250MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-225AA, TO-126-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-126
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
508
Andere Namen
2156-2SD1694-AZ
RENRNS2SD1694-AZ
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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