2SB740BTZ-E
Hersteller Produktnummer:

2SB740BTZ-E

Product Overview

Hersteller:

Renesas Electronics Corporation

Teilenummer:

2SB740BTZ-E-DG

Beschreibung:

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANS PNP
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 1 A 150MHz 900 mW Through Hole TO-92MOD

Inventar:

5000 Stück Neu Original Auf Lager
12968535
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2SB740BTZ-E Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
600mV @ 100mA, 1A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 100mA, 2V
Leistung - Max
900 mW
Frequenz - Übergang
150MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Grad
-
Qualifikation
-
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92MOD

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
Datasheet

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
902
Andere Namen
2156-2SB740BTZ-E
RENRNS2SB740BTZ-E

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
Not applicable
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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