Hersteller Produktnummer:
2SB647DTZ
Product Overview
Hersteller:
Renesas Electronics Corporation
Teilenummer:
2SB647DTZ-DG
Beschreibung:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 1 A 140MHz 800 mW Through Hole TO-92MOD
Inventar:
10000 Stück Neu Original Auf Lager
12978401
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2SB647DTZ Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
1 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
80 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1V @ 50mA, 500mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
10µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
160 @ 150mA, 5V
Leistung - Max
800 mW
Frequenz - Übergang
140MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Grad
-
Qualifikation
-
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92MOD
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
478
Andere Namen
RENRNS2SB647DTZ
2156-2SB647DTZ
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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