Hersteller Produktnummer:
2SB601-AZ
Product Overview
Hersteller:
Renesas
Teilenummer:
2SB601-AZ-DG
Beschreibung:
2SB601 - PNP SILICON EPITAXIAL T
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 5 A 1.5 W Through Hole TO-220AB
Inventar:
4453 Stück Neu Original Auf Lager
12977435
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
2SB601-AZ Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
PNP - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
5 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
100 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
1.5V @ 3mA, 3A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
10µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
2000 @ 3A, 2V
Leistung - Max
1.5 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-220-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
201
Andere Namen
2156-2SB601-AZ
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
BC857CQCZ
TRANS PNP 45V 0.1A DFN1412D-3
BC857AQCZ
TRANS PNP 45V 0.1A DFN1412D-3
2N4403-BP
TRANS PNP 40V 0.6A TO92