2SB564-AZ
Hersteller Produktnummer:

2SB564-AZ

Product Overview

Hersteller:

Renesas Electronics Corporation

Teilenummer:

2SB564-AZ-DG

Beschreibung:

PNP SILICON TRANSISTOR
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 25 V 50 mA 1 W Through Hole

Inventar:

47933 Stück Neu Original Auf Lager
12940470
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2SB564-AZ Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
50 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
25 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
600mV @ 2mA, 20mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
90 @ 100mA, 1V
Leistung - Max
1 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
-
Qualifikation
-
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
3-SSIP
Gerätepaket für Lieferanten
-

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
Datasheet

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
735
Andere Namen
RENRNS2SB564-AZ
2156-2SB564-AZ

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
Not applicable
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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