Hersteller Produktnummer:
2SB1261(1)-AZ
Product Overview
Hersteller:
Renesas
Teilenummer:
2SB1261(1)-AZ-DG
Beschreibung:
2SB1261 - PNP SILICON EPITAXIAL
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 3 A 50MHz 2 W Surface Mount TO-252 (MP-3Z)
Inventar:
6207 Stück Neu Original Auf Lager
12977103
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2SB1261(1)-AZ Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
3 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
60 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 150mA, 1.5A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
10µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 600mA, 2V
Leistung - Max
2 W
Frequenz - Übergang
50MHz
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252 (MP-3Z)
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
359
Andere Namen
2156-2SB1261(1)-AZ
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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