Hersteller Produktnummer:
2SA673C-E
Product Overview
Hersteller:
Renesas Electronics Corporation
Teilenummer:
2SA673C-E-DG
Beschreibung:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 35 V 500 mA 400 mW Through Hole TO-92
Inventar:
25000 Stück Neu Original Auf Lager
12946235
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2SA673C-E Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
35 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
600mV @ 15mA, 150mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
60 @ 10mA, 3V
Leistung - Max
400 mW
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Grad
-
Qualifikation
-
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
706
Andere Namen
2156-2SA673C-E
RENRNS2SA673C-E
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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