Hersteller Produktnummer:
2SA673ABTZ-E
Product Overview
Hersteller:
Renesas Electronics Corporation
Teilenummer:
2SA673ABTZ-E-DG
Beschreibung:
0.5A, 50V, PNP
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 500 mA 400 mW Through Hole TO-92
Inventar:
35000 Stück Neu Original Auf Lager
12940432
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2SA673ABTZ-E Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Verpackung
Bulk
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
500 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
600mV @ 15mA, 150mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
60 @ 10mA, 3V
Leistung - Max
400 mW
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
150°C (TJ)
Grad
-
Qualifikation
-
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
740
Andere Namen
RENRNS2SA673ABTZ-E
2156-2SA673ABTZ-E
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
DIGI-Zertifizierung
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