Hersteller Produktnummer:

QJD1210SA2

Product Overview

Hersteller:

Powerex Inc.

Teilenummer:

QJD1210SA2-DG

Beschreibung:

SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE

Detaillierte Beschreibung:

Mosfet Array 1200V (1.2kV) 100A 415W Chassis Mount Module

Inventar:

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12840189

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QJD1210SA2 Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays

Hersteller

Powerex

Verpackung

-

Reihe

-

Produktstatus

Obsolete

Technologie

Silicon Carbide (SiC)

Konfiguration

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

-

Drain zur Quellspannung (Vdss)

1200V (1.2kV)

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

100A

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

17mOhm @ 100A, 15V

vgs(th) (max.) @ id

1.6V @ 34mA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

330nC @ 15V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

8200pF @ 10V

Leistung - Max

415W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Art der Montage

Chassis Mount

Paket / Koffer

Module

Gerätepaket für Lieferanten

Module

Basis-Produktnummer

QJD1210

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

QJD1210SA2 Preliminary Datasheet Next Generation Power Semiconductors Brief

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

1

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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