QJD1210010
Hersteller Produktnummer:

QJD1210010

Product Overview

Hersteller:

Powerex Inc.

Teilenummer:

QJD1210010-DG

Beschreibung:

SIC 2N-CH 1200V 100A MODULE
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 100A (Tc) 1080W Chassis Mount Module

Inventar:

12842237
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

QJD1210010 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Powerex
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Discontinued at Digi-Key
Technologie
Silicon Carbide (SiC)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200V (1.2kV)
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
25mOhm @ 100A, 20V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 10mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
500nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
10200pF @ 800V
Leistung - Max
1080W
Betriebstemperatur
-40°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Chassis Mount
Paket / Koffer
Module
Gerätepaket für Lieferanten
Module
Basis-Produktnummer
QJD1210

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
onsemi

NVMD6P02R2G

MOSFET 2P-CH 20V 4.8A 8SOIC

onsemi

MCH6663-TL-H

MOSFET N/P-CH 30V 1.8A 6MCPH

onsemi

NTMFD5C650NLT1G

MOSFET 2N-CH 60V 21A/111A 8DFN

onsemi

NTGD3133PT1G

MOSFET 2P-CH 20V 1.6A 6TSOP