Hersteller Produktnummer:
PJMF210N65EC_T0_00601
Product Overview
Hersteller:
Panjit International Inc.
Teilenummer:
PJMF210N65EC_T0_00601-DG
Beschreibung:
650V/ 390MOHM / 10A/ EASY TO DRI
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 19A (Tc) 32W (Tc) Through Hole ITO-220AB-F
Inventar:
1979 Stück Neu Original Auf Lager
12988032
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PJMF210N65EC_T0_00601 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
PANJIT
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
19A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
210mOhm @ 9.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1412 pF @ 400 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
32W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
ITO-220AB-F
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Basis-Produktnummer
PJMF210
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
3757-PJMF210N65EC_T0_00601
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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