Hersteller Produktnummer:
PJD7NA65_R2_00001
Product Overview
Hersteller:
Panjit International Inc.
Teilenummer:
PJD7NA65_R2_00001-DG
Beschreibung:
650V N-CHANNEL MOSFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 7A (Ta) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
12972925
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
PJD7NA65_R2_00001 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
PANJIT
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
16.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
754 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
PJD7N
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
3757-PJD7NA65_R2_00001TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
PJD50N10AL_L2_00001
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
PJD45P04_L2_00001
40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
IAUC41N06S5N102ATMA1
MOSFET_)40V 60V) PG-TDSON-8
