PJD4NA60_L2_00001
Hersteller Produktnummer:

PJD4NA60_L2_00001

Product Overview

Hersteller:

Panjit International Inc.

Teilenummer:

PJD4NA60_L2_00001-DG

Beschreibung:

600V N-CHANNEL MOSFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 4A (Ta) 77W (Tc) Surface Mount TO-252

Inventar:

12972555
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

PJD4NA60_L2_00001 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
PANJIT
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Not For New Designs
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.4Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11.1 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
450 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
77W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
PJD4NA60

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
3757-PJD4NA60_L2_00001TR
3757-PJD4NA60_L2_00001DKR
3757-PJD4NA60_L2_00001CT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
onsemi

NVH4L045N065SC1

SIC MOS TO247-4L 650V

panjit

PJD50N04-AU_L2_000A1

40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M

panjit

PJP10NA60_T0_00001

600V N-CHANNEL MOSFET

panjit

PJD45P04-AU_L2_000A1

40V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M