Hersteller Produktnummer:
PJD35P03_L2_00001
Product Overview
Hersteller:
Panjit International Inc.
Teilenummer:
PJD35P03_L2_00001-DG
Beschreibung:
30V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 30 V 8.4A (Ta), 35A (Tc) 2W (Ta), 35W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventar:
2203 Stück Neu Original Auf Lager
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PJD35P03_L2_00001 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
PANJIT
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8.4A (Ta), 35A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
19mOhm @ 8A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1169 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2W (Ta), 35W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
PJD35
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
3757-PJD35P03_L2_00001TR
3757-PJD35P03_L2_00001CT
3757-PJD35P03_L2_00001DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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