PJD30N15_L2_00001
Hersteller Produktnummer:

PJD30N15_L2_00001

Product Overview

Hersteller:

Panjit International Inc.

Teilenummer:

PJD30N15_L2_00001-DG

Beschreibung:

150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 150 V 3.5A (Ta), 25A (Tc) 2W (Ta), 102W (Tc) Surface Mount TO-252

Inventar:

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PJD30N15_L2_00001 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
PANJIT
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
150 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3.5A (Ta), 25A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
29.5 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±25V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1764 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2W (Ta), 102W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
PJD30

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
PJD30N15

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
3757-PJD30N15_L2_00001TR
3757-PJD30N15_L2_00001CT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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