Hersteller Produktnummer:
UNR52AFG0L
Product Overview
Hersteller:
Panasonic Electronic Components
Teilenummer:
UNR52AFG0L-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS NPN 50V SMINI3
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 80 mA 150 MHz 150 mW Surface Mount SMini3-F2
Inventar:
12860476
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UNR52AFG0L Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Panasonic
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
80 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
4.7 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
150 MHz
Leistung - Max
150 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-85
Gerätepaket für Lieferanten
SMini3-F2
Basis-Produktnummer
UNR52A
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
UNR52AFG0LDKR
UNR52AFG0LCT
UNR52AFG0LTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
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