UNR421200A
Hersteller Produktnummer:

UNR421200A

Product Overview

Hersteller:

Panasonic Electronic Components

Teilenummer:

UNR421200A-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS NPN 50V NS-B1
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 MHz 300 mW Through Hole NS-B1

Inventar:

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12860170
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Mindestens 1
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UNR421200A Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Panasonic
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
22 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
22 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
60 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
150 MHz
Leistung - Max
300 mW
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
3-SIP
Gerätepaket für Lieferanten
NS-B1
Basis-Produktnummer
UNR421

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
5,000
Andere Namen
UNR421200ATB
UNR421200ACT

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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