UNR421100A
Hersteller Produktnummer:

UNR421100A

Product Overview

Hersteller:

Panasonic Electronic Components

Teilenummer:

UNR421100A-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS NPN 50V NS-B1
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 MHz 300 mW Through Hole NS-B1

Inventar:

Angebot Anfrage Online
12940390
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

UNR421100A Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Panasonic
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
10 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
35 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
150 MHz
Leistung - Max
300 mW
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
3-SIP
Gerätepaket für Lieferanten
NS-B1
Basis-Produktnummer
UNR421

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
UNR421100A
HTML-Datenblatt
UNR421100A-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
5,000
Andere Namen
UNR421100ACT
UNR421100ATB

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Alternative Modelle

Teilenummer
BCR133E6327HTSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
60618
TEILNUMMER
BCR133E6327HTSA1-DG
Einheitspreis
0.03
ERSATZART
Similar
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Ähnliche Produkte
onsemi

SMUN5211T1

TRANS PREBIAS NPN SC70-3

onsemi

SMUN2233T1

TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA

onsemi

SMUN5116T1

TRANS PREBIAS PNP

onsemi

SMUN2213T1G

TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC59