UNR411F00A
Hersteller Produktnummer:

UNR411F00A

Product Overview

Hersteller:

Panasonic Electronic Components

Teilenummer:

UNR411F00A-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS PNP 50V NS-B1
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 80 MHz 300 mW Through Hole NS-B1

Inventar:

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12859099
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UNR411F00A Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Panasonic
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
4.7 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Frequenz - Übergang
80 MHz
Leistung - Max
300 mW
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
3-SIP
Gerätepaket für Lieferanten
NS-B1
Basis-Produktnummer
UNR411

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
UNR411F00A
HTML-Datenblatt
UNR411F00A-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
5,000
Andere Namen
UN411F-(TA)
UNR411F00ATB
UNR411F00ACT
UNR411F00ATB-NDR
UNR411F00ACT-NDR

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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