DRA5115E0L
Hersteller Produktnummer:

DRA5115E0L

Product Overview

Hersteller:

Panasonic Electronic Components

Teilenummer:

DRA5115E0L-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI3
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount SMini3-F2-B

Inventar:

12862309
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DRA5115E0L Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Panasonic
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Discontinued at Digi-Key
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
100 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
100 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
80 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Leistung - Max
150 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-85
Gerätepaket für Lieferanten
SMini3-F2-B
Basis-Produktnummer
DRA5115

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
DRA5115E0LDKR
DRA5115E0L-DG
DRA5115E0LTR
DRA5115E0LCT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
DTA115EU3HZGT106
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
2875
TEILNUMMER
DTA115EU3HZGT106-DG
Einheitspreis
0.03
ERSATZART
Similar
Teilenummer
DTA115EUBTL
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
2900
TEILNUMMER
DTA115EUBTL-DG
Einheitspreis
0.04
ERSATZART
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Einheitspreis
0.02
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