DRA5114E0L
Hersteller Produktnummer:

DRA5114E0L

Product Overview

Hersteller:

Panasonic Electronic Components

Teilenummer:

DRA5114E0L-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS PNP 50V SMINI3
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount SMini3-F2-B

Inventar:

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12862010
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DRA5114E0L Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Panasonic
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Discontinued at Digi-Key
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
10 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
35 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Leistung - Max
150 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SC-85
Gerätepaket für Lieferanten
SMini3-F2-B
Basis-Produktnummer
DRA5114

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
DRA5114E0L
HTML-Datenblatt
DRA5114E0L-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
DRA5114E0LTR
DRA5114E0LDKR
DRA5114E0LCT

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
MUN5111T1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
47821
TEILNUMMER
MUN5111T1G-DG
Einheitspreis
0.02
ERSATZART
Direct
Teilenummer
DTA114EU3T106
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
4783
TEILNUMMER
DTA114EU3T106-DG
Einheitspreis
0.02
ERSATZART
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DTA114EU3HZGT106
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
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DTA114EU3HZGT106-DG
Einheitspreis
0.03
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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