DRA3123Y0L
Hersteller Produktnummer:

DRA3123Y0L

Product Overview

Hersteller:

Panasonic Electronic Components

Teilenummer:

DRA3123Y0L-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS PNP 50V SSSMINI3
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 100 mW Surface Mount SSSMini3-F2-B

Inventar:

12843705
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DRA3123Y0L Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Panasonic
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Discontinued at Digi-Key
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
2.2 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
10 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
30 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Leistung - Max
100 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-723
Gerätepaket für Lieferanten
SSSMini3-F2-B
Basis-Produktnummer
DRA3123

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
10,000
Andere Namen
DRA3123Y0L-DG
DRA3123Y0LDKR
DRA3123Y0LCT
DRA3123Y0LTR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
DTA123YMT2L
HERSTELLER
Rohm Semiconductor
VERFÜGBARE ANZAHL
8000
TEILNUMMER
DTA123YMT2L-DG
Einheitspreis
0.03
ERSATZART
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