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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
DRA2123E0L
Product Overview
Hersteller:
Panasonic Electronic Components
Teilenummer:
DRA2123E0L-DG
Beschreibung:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A MINI3
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 mW Surface Mount MINI3-G3-B
Inventar:
Angebot Anfrage Online
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DRA2123E0L Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
Panasonic
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Discontinued at Digi-Key
Transistor-Typ
PNP - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
2.2 kOhms
Widerstand - Emittersockel (R2)
2.2 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
6 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
300mV @ 500µA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Leistung - Max
200 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
MINI3-G3-B
Basis-Produktnummer
DRA2123
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
DRA2123E0L-DG
DRA2123E0LDKR
DRA2123E0LTR
DRA2123E0LCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
PDTA123ET,215
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
22
TEILNUMMER
PDTA123ET,215-DG
Einheitspreis
0.01
ERSATZART
Upgrade
Teilenummer
PDTA123JT,215
HERSTELLER
Nexperia USA Inc.
VERFÜGBARE ANZAHL
1500
TEILNUMMER
PDTA123JT,215-DG
Einheitspreis
0.01
ERSATZART
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0.02
ERSATZART
Direct
Teilenummer
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onsemi
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TEILNUMMER
MMUN2135LT1G-DG
Einheitspreis
0.01
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