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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
TIP110G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
TIP110G-DG
Beschreibung:
TRANS NPN DARL 60V 2A TO220
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60 V 2 A 2 W Through Hole TO-220
Inventar:
Angebot Anfrage Online
12844485
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EINREICHEN
TIP110G Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Darlington
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
2 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
60 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
2.5V @ 8mA, 2A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
2mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
1000 @ 1A, 4V
Leistung - Max
2 W
Frequenz - Übergang
-
Betriebstemperatur
-65°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-220-3
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Basis-Produktnummer
TIP110
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
TIP110G
HTML-Datenblatt
TIP110G-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
TIP110GOS
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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