SSU1N60BTU-WS

Hersteller Produktnummer:

SSU1N60BTU-WS

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

SSU1N60BTU-WS-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 600V 900MA IPAK

Detaillierte Beschreibung:

N-Channel 600 V 900mA (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Through Hole I-PAK

Inventar:

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12842096

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SSU1N60BTU-WS Technische Spezifikationen

Kategorie

FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs

Hersteller

onsemi

Verpackung

-

Reihe

-

Produktstatus

Obsolete

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain zur Quellspannung (Vdss)

600 V

Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C

900mA (Tc)

Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)

10V

Rds Ein (Max) @ Id, Vgs

12Ohm @ 450mA, 10V

vgs(th) (max.) @ id

4V @ 250µA

Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs

7.7 nC @ 10 V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds

215 pF @ 25 V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.5W (Ta), 28W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Art der Montage

Through Hole

Gerätepaket für Lieferanten

I-PAK

Paket / Koffer

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Basis-Produktnummer

SSU1N60

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

HTML-Datenblatt

SSU1N60BTU-WS-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket

70

Andere Namen

SSU1N60BTU_WS-DG

SSU1N60BTU_WS

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status

ROHS3 Compliant

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-Status

REACH Unaffected

ECCN (Englisch)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI-Zertifizierung

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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