SMMUN2216LT1G
Hersteller Produktnummer:

SMMUN2216LT1G

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

SMMUN2216LT1G-DG

Beschreibung:

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Detaillierte Beschreibung:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 246 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Inventar:

30427 Stück Neu Original Auf Lager
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SMMUN2216LT1G Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Einzelne, vorgebiogene Bipolartransistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
Transistor-Typ
NPN - Pre-Biased
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
100 mA
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
50 V
Widerstand - Basis (R1)
4.7 kOhms
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
160 @ 5mA, 10V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
250mV @ 1mA, 10mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
500nA
Leistung - Max
246 mW
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-3 (TO-236)
Basis-Produktnummer
SMMUN2216

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
SMMUN2216LT1G
HTML-Datenblatt
SMMUN2216LT1G-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
ONSONSSMMUN2216LT1G
SMMUN2216LT1G-DG
SMMUN2216LT1GOSDKR
SMMUN2216LT1GOSCT
SMMUN2216LT1GOSTR
2156-SMMUN2216LT1G-OS

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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