Hersteller Produktnummer:
SMBT35200MT1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
SMBT35200MT1G-DG
Beschreibung:
TRANS PNP 35V 2A 6TSOP
Detaillierte Beschreibung:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 35 V 2 A 100MHz 625 mW Surface Mount 6-TSOP
Inventar:
12855997
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Menge
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SMBT35200MT1G Technische Spezifikationen
Kategorie
Bipolar (BJT), Eingle Bipolare Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
2 A
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
35 V
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic
310mV @ 20mA, 2A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
100nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
100 @ 1.5A, 1.5V
Leistung - Max
625 mW
Frequenz - Übergang
100MHz
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Gerätepaket für Lieferanten
6-TSOP
Basis-Produktnummer
SMBT35200
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Alternative Modelle
Teilenummer
SNSS35200MR6T1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
3000
TEILNUMMER
SNSS35200MR6T1G-DG
Einheitspreis
0.18
ERSATZART
Parametric Equivalent
Teilenummer
MBT35200MT1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
2906
TEILNUMMER
MBT35200MT1G-DG
Einheitspreis
0.12
ERSATZART
Parametric Equivalent
Teilenummer
NSS35200MR6T1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
3547
TEILNUMMER
NSS35200MR6T1G-DG
Einheitspreis
0.16
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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