Hersteller Produktnummer:
RFD3055LESM
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
RFD3055LESM-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 11A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventar:
12857386
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RFD3055LESM Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
107mOhm @ 8A, 5V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
350 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
38W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252AA
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
RFD30
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
75
Andere Namen
RFD3055LESM-NDR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRLR024TRPBF
HERSTELLER
Vishay Siliconix
VERFÜGBARE ANZAHL
5762
TEILNUMMER
IRLR024TRPBF-DG
Einheitspreis
0.42
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