PN5179_D26Z
Hersteller Produktnummer:

PN5179_D26Z

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

PN5179_D26Z-DG

Beschreibung:

RF TRANS NPN 12V 2GHZ TO92-3
Detaillierte Beschreibung:
RF Transistor NPN 12V 50mA 2GHz 350mW Through Hole TO-92-3

Inventar:

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12855782
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PN5179_D26Z Technische Spezifikationen

Kategorie
Bipolar (BJT), Bipolare RF-Transistoren
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
Transistor-Typ
NPN
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
12V
Frequenz - Übergang
2GHz
Geräuschzahl (dB Typ @ f)
5dB @ 200MHz
Gewinnen
15dB
Leistung - Max
350mW
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce
25 @ 3mA, 1V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
50mA
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Paket / Koffer
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Gerätepaket für Lieferanten
TO-92-3
Basis-Produktnummer
PN517

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
2,000

Umwelt- und Exportklassifizierung

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Alternative Modelle

Teilenummer
BFP405H6327XTSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
8628
TEILNUMMER
BFP405H6327XTSA1-DG
Einheitspreis
0.12
ERSATZART
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Teilenummer
BFP720FESDH6327XTSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
BFP720FESDH6327XTSA1-DG
Einheitspreis
0.16
ERSATZART
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Teilenummer
BFR106E6327HTSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
42372
TEILNUMMER
BFR106E6327HTSA1-DG
Einheitspreis
0.09
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MRF448-DG
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certification_01
certification_02
certification_03
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cr
certification_015
certification_08
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