NXH350N100H4Q2F2S1G
Hersteller Produktnummer:

NXH350N100H4Q2F2S1G

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

NXH350N100H4Q2F2S1G-DG

Beschreibung:

IC PWR MODULE 1000V 350A PIM42
Detaillierte Beschreibung:
IGBT Module Trench Field Stop Three Level Inverter 1000 V 303 A 276 W Chassis Mount 42-PIM/Q2PACK (93x47)

Inventar:

36 Stück Neu Original Auf Lager
12945942
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

NXH350N100H4Q2F2S1G Technische Spezifikationen

Kategorie
IGBTs, IGBT-Module
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tray
Reihe
-
Produktstatus
Active
IGBT-Typ
Trench Field Stop
Konfiguration
Three Level Inverter
Spannung - Durchschlag des Kollektor-Emitters (max.)
1000 V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)
303 A
Leistung - Max
276 W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.3V @ 15V, 375A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)
1 mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce
24.146 nF @ 20 V
Eingabe
Standard
NTC-Thermistor
Yes
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Chassis Mount
Paket / Koffer
Module
Gerätepaket für Lieferanten
42-PIM/Q2PACK (93x47)
Basis-Produktnummer
NXH350

Datenblatt & Dokumente

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
12
Andere Namen
488-NXH350N100H4Q2F2S1G

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
onsemi

NXH350N100H4Q2F2SG

IC MODULE PIM 350A 1000V

infineon-technologies

BSM150GB170DN2E3256HDLA1

BSM150GB170DN2 - INSULATED GATE

infineon-technologies

FZ1800R17HP4_B29

FZ1800R17 - IGBT MODULE

infineon-technologies

FZ1800R17KF4NOSA1

FZ1800R17 - INSULATED GATE BIPOL