Hersteller Produktnummer:
NXH010P90MNF1PG
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NXH010P90MNF1PG-DG
Beschreibung:
SIC 2N-CH 900V 154A
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 900V 154A (Tc) 328W (Tj) Chassis Mount
Inventar:
13000843
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NXH010P90MNF1PG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tray
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
Silicon Carbide (SiC)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual) Common Source
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
900V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
154A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 100A, 15V
vgs(th) (max.) @ id
4.3V @ 40mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
546.4nC @ 15V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
7007pF @ 450V
Leistung - Max
328W (Tj)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Chassis Mount
Paket / Koffer
Module
Gerätepaket für Lieferanten
-
Basis-Produktnummer
NXH010
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
28
Andere Namen
488-NXH010P90MNF1PG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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