Hersteller Produktnummer:
NXH010P120MNF1PTNG
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NXH010P120MNF1PTNG-DG
Beschreibung:
SIC 2N-CH 1200V 114A
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 114A (Tc) 250W (Tj) Chassis Mount
Inventar:
12973676
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NXH010P120MNF1PTNG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tray
Reihe
-
Produktstatus
Active
Technologie
Silicon Carbide (SiC)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200V (1.2kV)
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
114A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 100A, 20V
vgs(th) (max.) @ id
4.3V @ 40mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
454nC @ 20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4707pF @ 800V
Leistung - Max
250W (Tj)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Chassis Mount
Paket / Koffer
Module
Gerätepaket für Lieferanten
-
Basis-Produktnummer
NXH010
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
28
Andere Namen
488-NXH010P120MNF1PTNG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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