Hersteller Produktnummer:
NVMYS025N06CLTWG
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NVMYS025N06CLTWG-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 8.5A/21A 4LFPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 8.5A (Ta), 21A (Tc) 3.8W (Ta), 24W (Tc) Surface Mount LFPAK4 (5x6)
Inventar:
5735 Stück Neu Original Auf Lager
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NVMYS025N06CLTWG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
8.5A (Ta), 21A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
27.5mOhm @ 7.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 13µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
5.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
330 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.8W (Ta), 24W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
LFPAK4 (5x6)
Paket / Koffer
SOT-1023, 4-LFPAK
Basis-Produktnummer
NVMYS025
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
NVMYS025N06CLTWGOS
NVMYS025N06CLTWGOSTR
NVMYS025N06CLTWGOSDKR
NVMYS025N06CLTWGOS-DG
NVMYS025N06CLTWGOSCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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