Hersteller Produktnummer:
NVMTS1D2N08H
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NVMTS1D2N08H-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 43.5A/337A 8DFNW
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 43.5A (Ta), 337A (Tc) 5W (Ta), 300W (Tc) Surface Mount 8-DFNW (8.3x8.4)
Inventar:
12938876
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EINREICHEN
NVMTS1D2N08H Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
43.5A (Ta), 337A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.1mOhm @ 90A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 590µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
147 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
10100 pF @ 40 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
5W (Ta), 300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-DFNW (8.3x8.4)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
NVMTS1
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
488-NVMTS1D2N08HDKR
NVMTS1D2N08H-DG
488-NVMTS1D2N08HCT
488-NVMTS1D2N08HTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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