Hersteller Produktnummer:
NVMJS1D4N06CLTWG
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NVMJS1D4N06CLTWG-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V 39A/262A 8LFPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 39A (Ta), 262A (Tc) 4W (Ta), 180W (Tc) Surface Mount 8-LFPAK
Inventar:
3000 Stück Neu Original Auf Lager
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NVMJS1D4N06CLTWG Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
Automotive, AEC-Q101
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
39A (Ta), 262A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.3mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 280µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
103 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
7430 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
4W (Ta), 180W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-LFPAK
Paket / Koffer
SOT-1205, 8-LFPAK56
Basis-Produktnummer
NVMJS1
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
488-NVMJS1D4N06CLTWGTR
488-NVMJS1D4N06CLTWGDKR
488-NVMJS1D4N06CLTWGCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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