Hersteller Produktnummer:
NVMFS6H852NWFT1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NVMFS6H852NWFT1G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 10A/40A 5DFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 10A (Ta), 40A (Tc) 3.6W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Inventar:
12858673
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
NVMFS6H852NWFT1G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
10A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
14.2mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 45µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
760 pF @ 40 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.6W (Ta), 54W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount, Wettable Flank
Gerätepaket für Lieferanten
5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN, 5 Leads
Basis-Produktnummer
NVMFS6
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,500
Andere Namen
488-NVMFS6H852NWFT1GDKR
488-NVMFS6H852NWFT1GCT
NVMFS6H852NWFT1G-DG
488-NVMFS6H852NWFT1GTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
PCP1403-TD-H
MOSFET N-CH 60V 4.5A SOT89/PCP-1
NTD18N06-001
MOSFET N-CH 60V 18A IPAK
SCH1334-TL-H
MOSFET P-CH 12V 1.6A 6SCH
