NVMFS6H800NWFT1G
Hersteller Produktnummer:

NVMFS6H800NWFT1G

Product Overview

Hersteller:

onsemi

Teilenummer:

NVMFS6H800NWFT1G-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 28A (Ta), 203A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)

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NVMFS6H800NWFT1G Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
28A (Ta), 203A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.1mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 330µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5530 pF @ 40 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.8W (Ta), 200W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount, Wettable Flank
Gerätepaket für Lieferanten
5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN, 5 Leads
Basis-Produktnummer
NVMFS6

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
NVMFS6H800NWFT1G
HTML-Datenblatt
NVMFS6H800NWFT1G-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
1,500
Andere Namen
488-NVMFS6H800NWFT1GCT
488-NVMFS6H800NWFT1GTR
488-NVMFS6H800NWFT1GDKR
NVMFS6H800NWFT1G-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
NVMFS6H800NT1G
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
36
TEILNUMMER
NVMFS6H800NT1G-DG
Einheitspreis
2.27
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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