Hersteller Produktnummer:
NVMFS5C442NLWFET1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NVMFS5C442NLWFET1G-DG
Beschreibung:
T6-40V N 2.5 MOHMS LL
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 28A (Ta), 130A (Tc) 3.7W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Inventar:
12973854
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NVMFS5C442NLWFET1G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
Automotive, AEC-Q101
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
28A (Ta), 130A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.5mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 90µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3100 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3.7W (Ta), 83W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount, Wettable Flank
Gerätepaket für Lieferanten
5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN, 5 Leads
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,500
Andere Namen
488-NVMFS5C442NLWFET1GDKR
488-NVMFS5C442NLWFET1GTR
488-NVMFS5C442NLWFET1GCT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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